奥趋光电多年根植于第四代半导体氮化铝单晶研发与制造，客户覆盖亚洲、欧洲、北美等地区超过160家企业与科研机构。截至2026年6月共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。

要理解此次获奖项目的分量，不妨先认识一下氮化铝这种材料。

它的禁带宽度高达6.2eV，远高于氮化镓的3.45eV和碳化硅的3.26eV。一般来说，禁带宽度越大，材料越能“扛得住”高压、高温和高频，这恰恰契合6G射频芯片、新一代相控阵雷达T/R芯片、深紫外光电器件、大功率电子器件等重点领域性能提升最迫切的需求。

在“十五五”规划纲要中也明确提出推动超宽禁带半导体产业化，氮化铝正是三大重点材料之一。

然而长期以来，这项核心技术被海外国家牢牢攥在手里，并对中国实施了长达十余年的产品禁运。奥趋光电的技术突破，让局面发生了转变。公司成功实现了2英寸氮化铝单晶晶圆的小批量生产，使中国成为继美国之后第二个具备这一能力的国家，一举填补了国内技术空白，解决了重点领域氮化铝材料受限的“卡脖子”难题。

具体到应用场景来看，这一突破意味着什么？

在国防领域，氮化铝实现自主量产，关乎相控阵雷达等武器装备的供应链安全。在民用领域，用氮化铝制造的6G射频器件，其综合性能可比现有技术提升一个数量级，比如能实现毫米波甚至太赫兹频段的高速传输，其高功率性能则可使未来6G基站覆盖范围更广、建站数量更少，老百姓享受高速网络的成本也将更低。

这块氮化铝晶圆，既关乎国家安全，也连接着每个人的数字未来。

回望项目攻关之路，奥趋光电自2016年起步探索，2019年落地临平后正式开始氮化铝核心技术攻关。同年团队成功开发出全球最大、直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，2022年又开发出直径达76mm的3英寸晶圆样片。

看似一路高歌，真正的挑战却刚刚开始。“从0到1的研发，我们尚且有文献可以参考。但良率提升是每家公司最核心的机密，再加上禁运，我们连实际竞品都看不到，可以说是‘摸黑前进’。”奥趋光电创始人、CEO吴亮回忆道。

2023年到2026年，团队一头扎进良率提升的“无人区”，一条路行不通就换一条，新方案不理想就推倒重来……晶圆制造涉及设备开发、热场设计、长晶工艺、切磨抛精密加工等数十个环节，每一个环节都需要无数次模拟仿真和实验验证。在历经数不尽的失败后，团队终于成功突破2英寸晶圆良率瓶颈，并实现小批量稳定生产。

“日复一日的失败几乎成了常态，直到数据第一次‘对了’，那种感觉，就像一片黑暗的时候突然看到了光。”回忆起那个瞬间，吴亮内心依旧澎湃。

如今，奥趋光电在深紫外透过率等核心指标上达到行业领先水平，并凭借良率优势掌握市场竞争主动权。以2英寸晶圆为例，国外产品售价高达8000至10000美元/片，而奥趋光电仅需2500至4000美元/片。这也有力推动了第四代半导体氮化铝材料在6G射频、超高功率电子及深紫外光电器件等关键领域的技术创新与产业化落地。

吴亮透露，奥趋光电正积极开展4英寸氮化铝晶圆的研发，并将进一步开发6英寸晶圆，同时通过加大投入不断增强氮化铝单晶衬底产品的产业化制造能力，为提升2至4英寸晶圆的产能，奠定下一步大批量扩产的坚实基础，为未来先进半导体技术和众多高技术产业发展提供坚实材料支撑。

一家企业的突围，同样映照着一座城区的创新生态。近年来，临平区深入实施“315”科技创新体系建设工程、“415X”先进制造业集群培育工程，以教育科技人才体制机制一体改革为支撑，以强化科技创新和产业创新深度融合为路径，创新活力持续释放。浙江大学高端装备研究院成功入选工信部重点培育中试平台，全区累计3家，总量并列全省区县第一。今年1-6月，全区技术交易额同比增长84.18%。

面向未来，我区将持续锚定“智造强区、创新兴区”战略目标，以“高端化、智能化、绿色化、融合化”为主线，全面推进科技创新与产业创新深度融合，推动创新人才加速集聚、创新主体蓬勃成长、创新成果高效转化、创新要素深度融合，着力打造杭州城东新中心，助力更多“奥趋光电”在这里破土而出、拔节生长。